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研发技术
面向芯片封装应用的热沉研发能力
围绕芯片散热、封装连接及长期可靠性需求,建立涵盖材料选型、结构设计、仿真分析、样品制备、COS评价及可靠性验证的完整研发体系。以客户芯片特性和封装场景为设计输入,以仿真分析与COS实际装片评价为核心验证手段,实现从方案设计到量产导入的闭环开发。

研发流程

研发核心能力
  • 01结构设计与仿真分析
  • 02COS装片与应用评价
  • 03材料表征与选型
  • 04多类型金属化膜层工艺
  • 05样品制备与快速验证
  • 06可靠性验证 & 失效分析
  • 07客制化能力

结构设计与仿真分析

基于芯片与封装场景的定制化设计

根据客户芯片尺寸、功率密度、键合方式、封装结构及工作条件,开展热沉图形、膜层结构/厚度、定位特征、焊接区域等设计。

热性能与封装应力仿真

结合热传导分析、热-机械耦合分析及有限元方法,对热沉结构及芯片封装系统进行评估。仿真结果用于指导材料和结构方案选择,并通过COS装片进行验证与修正,形成设计—仿真—验证—优化的开发闭环。

研发优势总结

十五大核心技术
技术能力
各项技术提供代加工服务
提供PVD半成品、研磨半成品、电镀镍金半成品、金锡半成品等
检测平台
检测能力
  • 通过各种理化测量方法,表征材料特性,从而为产品整体结构方案设计提供支撑。
    测量方法包含:
    热分析表征
    ——热导率测量(热导率测试仪)
    ——热膨胀系数(TMA)
    微观形貌表征
    ——SEM观察(EBSD分析)
    ——台阶仪测量
    ——3D光学测量
    机械性能表征
    ——抗弯强度(万能试验机)
    ——推拉力测试
湃泊实验室
COS封测平台实验室
从客户和行业实际封测场景出发,建立覆盖全场景的封装与测试能力,包括COS、TO、COC、点胶固晶等封测工艺,确保实现以下三大核心使命:
01确保交付品质
02研发迭代闭环
03失效模式分析

陶瓷研究院

从材料底层创新,定义高性能电子封装基板

湃泊科技陶瓷研究院聚焦高性能氮化铝陶瓷及先进电子封装基板技术,构建从粉体、配方、流延成型到烧结及性能表征的完整研发能力体系,实现从材料底层机理到产品性能的全链路技术掌控。
目前,研究院建有两条专业研发实验线:一条持续优化230 W/(m·K)级单层氮化铝陶瓷工艺,并向250 W/(m·K)超高热导率突破;另一条专注于氮化铝多层基板及薄膜Carrier技术,面向高速光通信与EML芯片先进封装等前沿应用。
依托完善的材料制备与检测表征平台,以及来自美国、日本的国际专家顾问团队,研究院持续深化与国内顶尖高校及科研院所的联合创新,推动高性能陶瓷材料技术突破,并赋能产业链合作伙伴实现工艺升级与产品质量提升。
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